公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。
公司凭借优秀的半导体器件与工艺创新能力，集中优势资源聚焦新型功率器件的开发，是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一，并在应用于工业级领域的高压超级结 MOSFET 和中低压功率器件产品领域实现了国产化替代，公司从 2008 年创立以来便聚焦于高端功率器件的研发与销售。
公司核心产品高压超级结 MOSFET 产品全部采用超级结技术原理，技术较为先进，具有开关速度快、动态损耗低、可靠性强等优势，公司 GreenMOS 系列具备高效率低阻抗特点，广泛应用于新能源车直流充电桩、5G 通讯等领域；另一核心产品中低压屏蔽栅 MOSFET，兼具平面结构和屏蔽栅结构优势，具备稳定工艺水平和高可靠性，同时公司在中低压领域积累了多项技术包括优化电荷平衡、自对准加工等核心技术，产品的关键技术达到了国内领先水平。
在应用领域层面，公司产品的终端应用范围包括以新能源汽车直流充电桩、5G 基站电源及通信电源，同时还包括以 PC 电源、适配器、TV 电源板、手机快速充电器为代表的消费电 子应用领域。
公司股权结构较为分散，根据招股说明书显示，公司并无控股股东，公司实际控制人为王鹏飞和龚轶，其中截至 2022 年 4 月，王鹏飞直接持股 12.07%，同时公司近些年受到市场上多家产业资本青睐，元禾控股通过原点创投持有公司 11.39%股权，2017 年聚源聚芯产业基金向公司进行投资，其持有公司公司股权 7.49%；2020 年华为哈勃投资入股公司，持有公司股权 4.94%，并且公司为哈勃投资旗下唯一功率器件设计公司。
根据招股说明书披露，公司在 2018 年、 2019 年共实施 3 次股权激励政策，股权授予对象为核心研发员工和核心管理人员，员工主要通过持股平台苏州高维和得数聚才间接持有公司股权。
公司 IPO 拟募资 9.39 亿元，最终实际募集资金净额为 20.07 亿元，募集资金用途分别用于超级结与屏蔽栅功率器件产品升级及产业化项目、新结构功率器件研发及产业化项目、研发 工程中心建设项目、科技与发展储备资金，各项目资金需求分别为 2.04 亿元、1.08 亿元、1.70 亿元、4.57 亿元，占拟募集资金比例为 21.75%、11.47%、18.90%、48.68%。
科技与发展储备资金的主要是随着公司业务扩展，公司未来考虑通过投资并购方式整合行业优质标的，谋求产业资源的有效协同，公司拟以实际经营情况为基础，结合未来战略发展目标，补充科技与发展储备资金。
公司主要核心产品包括：高压超级结 MOSFET，中低压屏蔽栅 MOSFET，Tri-gate IGBT。 高压超级结 MOSFET：低导通电阻、动态损耗低。
公司的高压超级结 MOSFET 产品（包括超级硅 MOSFET）主要为 GreenMOS 产品系列，并拥有逾 1100 种的产品型号规格，该领域规格最完整国内厂商。
高压高级结 MOSFET 产品具有开关速度快、动态损耗低、可靠性高的特点及优势。
从应用场景来看，产品多用于直流大功率新能源汽车充电桩、5G 通信电源、数据中心服务器电源、PC 电源、适配器、TV 电源板、手机快速充电器等应用领域。
中低压屏蔽栅 MOSFET：覆盖工作电压 25V-150V，应用场景为低压环境。
公司的中低压 MOSFET 产品均采用屏蔽栅结构，主要包括 SFGMOS 产品系列以及 FSMOS 产品系列，工作电压覆盖 25V-150V，合计超过 500 种型号。其中，公司的 SFGMOS 产品系列具有更高的工艺稳定性、可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点，公司中低压功率器件产品涵盖 25V-150V 工作电压，可广泛应用于电机驱动、同步整流等领域。
超级硅 MOSFET：性能对标氮化镓功率器件，已有 18 种型号进入量产。
公司的超级硅 MOSFET 产品是公司自主研发产品，通过调整器件结构、优化制造工艺，公司产品突破了硅基功率器件响应速度瓶颈，在电源管理 PMS 领域接近了第三代半导体功率器件开关速度，应用场景包括高密度电源系统，如新能源汽车充电桩、通信电源、工业照明电源、快速充电器、模块转换器、快充超薄类 PC 适配器等领域。
公司 TGBT 产品具有独立知识产权，区别于国际主流 IGBT 的创新型器件结构，实现了关键技术参数的大幅优化，截至 2021 年 12 月 31 日，达到可量产水平的产品规格共有 52 种，工作电压范围覆盖 600V-1350V，工作电流覆盖 15A-120A。应用场景包括新能源汽车充电桩、变频器、逆变器、电机驱动、电焊机、太阳能等领域。
公司自 18 年以来，营收复合增速超过 50%，净利润复合增速超过 77%，公司的快速增长 得益于半导体功率器件行业景气度的持续向好，下游需求旺盛。
同时，公司通过不断深化与上下游优秀合作伙伴的合作，持续扩大产能，并不断研发出更为优秀的产品与技术，需求增长、产能持续扩大、新产品不断推出及产品组合结构进一步优化带动公司业绩高增长。
公司 2021 年取得良好经营业绩，实现营收 7.82 亿元，同比增长 153.28%；实现归属于母 公司所有者的净利润 1.46 亿元，同比增长 429.12%；实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润 1.40 亿元，同比增长 586.58%。
公司 2022 年第一季度同样表现出良好成长性，实现营收 2.05 亿元，同比增长 45.5%，实现归母净利润 0.47 亿元，同比增长 130%。
从下业收入占比来看，公司产品主要应用领域主要针对工业级设备客户，工业类领域客户收入占比超过 50%，根据 21H1 数据来看，工业级通信电源营收占比接近 20%，新能源汽车充电桩领域收入占比达到 16%，消费电子设备领域营收占比下滑 4pct，我们认为长期来看，工业和汽车领域的技术门槛高，更能为公司产品带来竞争壁垒，减少终端市场结构性波动带来的价格影响，同时与工业及车规级厂商稳定的合作关系能够持续保障公司订单量及利润率的稳定。
公司毛利率自 2019 年探底后稳步回升，2019 年公司销售毛利率 14.93%，2021 年整体毛利率已回升至 28.72%。
我们认为，公司毛利率提升原因为：公司对产品结构进行战略调整，专注车规和工业领域，逐步更新和提升公司产品竞争力，持续保持对下游厂商的溢价能力，随着未来公司功率器件在车规级产品和工控领域的逐步放量，未来公司的毛利率有继续抬升的趋势。随着公司收入逐步走高，公司各项费用率稳定优化，保持公司整体净利率上升的趋势。
公司产品商业模式采用 Fabless，因此设计能力为公司核心竞争力。公司在最近年度持续加大研发投入，从研发人员数量来看，公司 2021 年末研发人员占比高达 44%，研发人员占比高于行业平均水平。
从研发投入来看，公司 2019-2021 年，研发投入逐步增长，分别为 1203 万元、1599 万元、4143 万元，并且 2021 年研发支出同比增长 159.07%，研发费用占收入比 2021 年为 5.30%，产品不断的推陈出新背后是强大研发能力的付出。
半导体行业公司核心竞争力为不断创新的能力，根据公司年报在研项目来看，公司布局第三代功率半导体器件如 SiC MOSFET，研发进展顺利，申请多项相关专利。公司主要产品已具备国内或国外领先技术水平，是少数在中高压超级结 MOSFET 领域突破海外技术垄断的本土企业之一，打破了海外厂商在新能源车充电桩的垄断地位。同时，公司基于自主研发的 Tri-IGBT 器件结构的创新型功率器件已实现量产，未来有望突破海外在高压 IGBT 市场的绝对地位。（报告来源：远瞻智库）
功率半导体发展始于 20 世 纪 50 年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统，之后晶闸管、平面型功 率 MOSFET、沟槽型 MOSFET 和 IGBT 面世，随着 20 世纪 90 年代超级结 MOSFET 出现，打破传统“硅限”以满足大功率和高频化的应用需求，功率半导体性能能进一步提升。
从用途来看，功率半导体主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换，随着国民经济的快速发展，功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场。
功率 IC 市值功率类集成电路设计，类似模拟 IC，分为 AC/DC、DC/DC、电源管理 IC 和驱动 IC 等。
功率分立器件主要包括功率二极管、晶闸管、高压晶体管、MOSFET、IGBT 等产品，产品可以根据外界条件控制器件的开通和关断的分类标准可分为不可控型、半控型和全控型功率器件，其中，二极管单向导通，可以实现整流，属于不可控型；晶闸管只能触发导通，不能触发关断，属于半控型；晶体管包括 IGBT 和 MOSFET 等，可以触发导通，也可以触发关断，属于全控型器件。
对国内市场而言，功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化， 功率 MOSFET 特别是超级结 MOSFET、IGBT 等高端分立器件产品由于其技术及工艺的复杂度，还较大程度上依赖进口，未来进口替代空间巨大。
根据 Omida 数据显示，全球 2021 年功率半导体市场规模约为 435.62 亿元，预计 2024 年市场规模将达到 532.19 亿元，未来三年复合增速为 6.9%；中国市场为功率半导体消费大国，市场规模不断发展，2021 年中国功率半导体市场规模约为 157 亿元，预计 2024 年市场规模将达到 195.22 亿元，未来三年 CAGR 为 7.53%，占全球市场约为 36.68%。
随着国内市场工业企业不断壮大，加速制造业、硬科技行业成长，新能源车、新能源充电桩、工业智造不断发力，长期国内功率半导体市场有望实现高速增长。
针对不同应用场景所对应的功率、电压和频率不同，各细分行业所选用的功率器件不同，MOSFET 凭借其高开滚频率、低损耗特点，主要用于手机、PC、LED 等消费电子领域。
IGBT 因耐高压的特点，主要应用于智能家电、新能源车和工控领域。根据行业发展来看，新能源车相关产业链为功率半导体下游中最具发展潜力的需求市场，同时低碳概念包括光伏、储能等也同样会加速成长，这些领域的功率半导体市场需求增长较快。
功率器件经过多年发展，各领域对功率器件的电压和频率要求越来越严格，不同的功率器 件，都有自己的高效区间。
根据 MOSFET 产品特点来看，其本质是一个电路开关，开关速度和高频工作特性比较好，工作频率可以达几十 kHz 到上千 kHz，能够在高电流状态下工作，但耐电压特性差，主要是因为 MOSFET 随着电压上升电阻变大，传导损耗很高，只适用于功率不超过 10kW 的电力电子装置，因此应用领域多为消费电子、小家电等低功率、高频率领域。
对比 IGBT 可以算是 MOSFET 的副产品，IGBT 能够很好地结合 BJT（双极型三极管）处 理高电流的能力和功率 MOSFET 的易用性，相比起 MOSFET，IGBT 还能阻隔极高电压，同时以极低损耗来通过高电流。
功率半导体竞争集中度较高，海外企业市占率高。从竞争格局上来看，功率半导体企业海外企业凭借先发优势，借助自由市场收购整合等多模式抢占市场份额，海外 IDM 厂商是功率 半导体领先企业。
根据 Omdia 数据，2020 年全球功率器件 CR5 约为 44%，英飞凌市场占比高达 20%，安森美占比 8%，意法半导体占比 6%；功率 IC 市场 CR5 约为 43%，德州仪器占比接近 16%。
根据 Omdia 数据显示，功率 MOSFET 全球市场规模在近几年保持比较稳定，约为 80 亿美元，约占功率器件市场 54%。国内市场约 30 亿美元，约占全球市场 39.9%，未来 3 年市场保持稳定增长。
从国内市场景竞争来看，2019 年市场份额前 8 位的公司里仅有华润微和新洁能，两家合计占比接近 12%，而海外龙头企业英飞凌及安森美市占率合计约为 45%，占据近一半市场，国产厂商具备较大替代市场空间。
IGBT：全球市场空间约 57 亿美元，国内消费占 40%，新能源领域为其核心增长催化剂。 从 IGBT 市场空间来看，2021 年全球 IGBT（分立+模块）市场规模约 57 亿元，国内 IGBT 市场约为 22.43，国内市场规模占全球比约为 40%，国内市场规模增长与海外基本同步。新能源汽车、新能源发电这些领域都是行业发展最大的催化剂。
汽车电动化趋势不可阻挡，新能源车、智能汽车为车用功率半导体打开需求天花板。
在全球电动汽车的趋势下，全球主要工业国家已开始布局电动汽车产业链，尽管全球市场 2021 年电动车市场因“缺芯”导致原材料涨价严重，但全球市场新能源车销量依旧同比增加 108%，销量达到 681 万辆，国内市场新能源车销量同比增长 157.6%，销量 352 万辆。
预计未来全球市场 2022 年新能源车销量有望达 1069 万辆，同比增长 57%，国内市场随着双碳政策和补贴政策推进，国内 2022 年新能源车销量有望达 560 万辆，同比增加 59%。预计 2025 年，全球新能源车销量有望达 2625 万辆，全球未来四年 CAGR 达 34%。
功率器件在汽车中的应用领域主要有驱动系统、引擎系统和车身三大方面，其中 MOSFET 主要用于电动助力转向系统、电制动系统，辅助驱动各种电动马达，参与车灯控制，此外还用于 DC/DC 转换、电池管理系统等模块。IGBT 也是新能源汽车中的核心器件之一，作为大功率高频开关在逆变器、电源变换器中被大量使用，主要应用于新能源汽车的电力驱动系统与电源系统中。
根据 StrategyAnalytics 的数据，传统燃油车的车均半导体用量为 338 美元，而功率半导体仅占 21%，为 71 美元。混合动力汽车新增的半导体中 76%是功率半导体，车均增量达到 283 美元，功率半导体价值为传统汽车的 4 倍，纯电动汽车中的功率半导体价值量则比混合动力汽车中更多，平均来看，新能源汽车功率半导体单车价值量是传统燃油车的约 5 倍。
充电桩是新能源汽车的配套设施。据麦肯锡统计及预测，2020 年中美欧新能源汽车充电需求约为 180 亿千瓦时，预计到 2030 年，伴随新能源汽车渗透率的提升，新能源汽车充电需求将高达 2710 亿千瓦时。
2020 年中美欧充电桩数量约为 300 万个，预计到 2030 年增长至 4000 万个，年复合增速约 30%。作为新能源汽车充电桩的核心零部件，功率半导体用量将在新能源汽车充电设施旺盛需求驱动下大幅增长。目前充电桩平均成本约 3200 美元，功率半导体约占充电桩成本 20%，我们预计未来 10 年充电桩功率半导体增量空间将超过 200 亿美金。
根据英飞凌数据来看，随着 DC 充电系统的功率的增大，每个 DC 充电系统所含的功率器件价值处于上升趋势。20kW 充电系统需要的硅基价值约为 40 美元，150kW 所需硅基价值量大概在 300 美元，而 350kW 充电桩功率器件变为 SiC，所含价值量约为 3500 美元。随着电动汽车保有量和使用范围扩张，高功率充电桩的大幅推广将有效带动充电桩 IGBT 的需求提升。
逆变器为光伏系统核心器件，光伏逆变器主要由输入滤波电器、DC/DCMPPT 电路、DC/AC 逆变器、输出滤波电路、核心控制单元电路组成。光伏逆变器是可以将光伏（PV）太阳能板产生的可变直流电压转换为市电频率交流电（AC）的变频器，其稳定性与安全性可直接影响光伏发电系统的运行与发电效率。IGBT 可直接影响光伏逆变器在下游端的光伏发电效率，是光伏逆变器提高光伏能力转化率的核心器件。
国内市场光伏装机量达到全球 1/3，功率模块及分立器件成本约占功率器件总成本的 9%。 据中国光伏行业协会统计，2025 年，我国光伏市场新增装机将介于 90 和 110GW 之间。
根据工信部数据显示，中国已累计建成 5G 基站 71.8 万个，推动共建共享 5G 基站 33 万 个。2021 年将有序推进 5G 网络建设及应用，加快主要城市 5G 覆盖，推进共建共享，新建 5G 基站 60 万个以上。根据前瞻产业研究院统计，预计 2021 年-2025 年我国将累计新建超 370 万个 5G 基站，累计投资规模将近 5000 亿元。
5G 建设将从四个方面拉动功率半导体需求，包括：1）5G 基站功率更高、建设更为密集， 带来更大的电源供应需求；2）射频端功率半导体用量提升；3）雾计算为功率半导体带来增量市场；4）云计算拉动计算用功率半导体用量。
国产功率半导体自给率逐步抬升。根据 Yole 数据显示，从 IGBT 产品自给率来看，2020 年前 IGBT 国内厂商产量占比越 13%，2020 年 IGBT 产品自给率不到 20%，考虑到高附加值，高功率和具有技术优势的海外厂商无论产品规格还是单价更高，因此产品自给率水平更低。但是随着国内厂商发力布局功率器件，预计 2024 年，IGBT 产品国产化率能达到 40%。
根据富昌电子数据显示，2021 年高压 MOSSET 和 IGBT 产品交付周期延长，带来市场供给不足和产品单价上涨。以全球头部厂商英飞凌为例，高压 MOSFET 交货周期已由 21Q1 的 26-52 周延长至 36-52 周，IGBT 的交货周期由 26-36 周延长至 39-50 周，并且价格也处于上升趋势之中，供需错配局面仍将维持。（报告来源：远瞻智库）
公司采用 Fabless 的商业模式，资产轻，无晶圆制造和加工业务。公司与行业上游晶圆制造厂商、封测厂等供应商建立了较为稳定的长期合作关系与高效联动机制。
从具体代工厂来看，包括华虹半导体、广州粤芯、东部高科，从具体明细上来看，公司与华虹半导体保持非常紧密的合作，公司采购华虹半导体晶圆的成本占比在 2020 年和 2021 年分别为 80.19%和 71.89%。在封测厂方面，合作厂商包括天水华天和集佳科技。
公司成本端输出保持稳定，根据招股书来看，公司材料成本为主要成本来源，2020 年材料成本占比 82.41%，21H1 材料成本占比为 83.21%，变化波动比较小，影响主要系原料成本上涨所致。Fabless 模式中，晶圆外采为核心成本，因此公司成本构成符合行业特点。
功率器件不同于数字芯片，其性能绝大部分情况下由器件的结构和工艺材料所决定，为了突破硅限的限制，新结构与三代半导体材料的器件成为了创新的主力。为了让功率半导体适用于高压大功率场合，才发展出超结 MOSFET，超级结 MOSFET 的超结结构是通过外延层生长 和硼离子注入交替进行的，因此形成超结结构生长次数与成本高低成正比。
近五年来，中国功率半导体领域研发势头迅猛，专利布局集中于 H01L21 和 H01L29 领域。 美国虽然专利数量和活跃度不如中国，但从近 5 年专利布局情况来看，布局集中于 H01L21 和 H01L29 领域，与中国情况较为一致。
在半导体材料器件的研发对比中，中美两国技术研究方向十分相似，在专利申请量排名前 10 的技术大组中，中美两国在 9 个技术领域发生了重合。而在技术研发热点及创新活跃度上存在细微差异。
我们可以从公司申请专利的结构中发现，公司的专利申请基本集中在最具有活跃度的功率半导体器件领域，根据企知道的专利数据库显示的公开数据，公司在分类为 H01L29、H01L21、 H01L27 的专利占据了总专利数量中的 88%，而这三个专利基本都是集中在半导体功率器件结构和工艺方面。
截至公司 21 年年报，公司累计申请 240 个专利，其中发明专利 118 个，获得专利累计 65 个，其中发明专利 39 个，21 年新增申请发明专利 16 个，新增获得 5 个。
公司目前的高压 Green MOS 系列包含了通用系列、E 系列、S 系列、Z 系列、OSS 系列等 产品，采用独特专利器件结构和制造工艺，GreenMOS 产品具有比常规 MOSFET 更快的开关 速度及更柔和的开关曲线，在获得极低的动态损耗的同时大限度抑制了开关震荡，不仅可以大 大提高系统效率、降低发热量，还可以简化系统 EMI 设计。
GreenMOS 系列产品涵盖 500V-900V 全系列，提供高达 100A 静态电流的规格，高工作频 率达到 2MHz 以上，可以满足各种电源系统的需求。基于其 1 高效率、低温升的特点，特别适用于快速充电器、LED 电源、通讯、服务器电源、电动车充电桩等系统。
公司超级结 MOSFET 的设计及工艺技术包括优化电荷平衡技术、优化栅极设计及缓变电容核心原胞结构等技术。电荷平衡技术兼具技术先进性与工艺稳定性，技术方面大幅提高衬底掺杂浓度，有效降低了导通电阻；稳定性方面使产品内部电场更加均衡。
高压 MOSFET 产品性能的关键指标是导通电阻 Ron 与栅极电荷 Qg 的乘积优值 FOM。相同导通电阻下，栅极电荷越小则优值越低，器件的动态损耗越小，整体性能越强。
经销与直销共存，拓宽产品市场。公司采用“经销加直销”的销售模式。在经销模式下，经销商可以帮助芯片设计企业快速地建立销售渠道、扩大市场份额，实现产品和资金的较快周 转，节省了公司的资金及资源投入，有利于芯片设计企业将主要精力投入到产品研发及供应链管控环节。从 2021 年来看，公司经销占比 63.89%，相比过去下降，未来随着公司声誉提升，合作厂商可与公司进行直接采购。
在各类功率器件应用领域尤其是工业级应用领域中，公司的产品获得了众多知名企业的认可，成为国内客户的少数国内供应商之一，在工业及汽车相关应用领域中，公司积累了新能源汽车直流充电桩领域的终端用户如英飞源、英可瑞、特锐德、永联科技等，5G 基站电源及通信电源领域的终端用户如维谛技术、麦格米特等，以及工业电源领域的终端用户如高斯宝、金升阳、雷能、通用电气等；在消费电子领域中，公司积累了大功率显示电源领域的终端用户如视源股份、美的、创维、康佳等。
公司是国内中高压 MOSFET 优质企业，产品包括高压超级结 MOSFET（含超级硅 MOSFET 系列产品）、中低压屏蔽栅 MOSFET 及 TGBT。产品主要应用于工业级和汽车相关等中大功率领域，与上下游企业保持良好合作关系，公司多类型产品打破海外垄断格局。
（1）高压功率器件紧缺程度仍处于较高水平，公司在 2021 年度的高压超级结 MOSFET 和中低压屏蔽栅 MOSFET 的产销率均超过 90%产销率，公司与既有客户合作关系稳固，同时 也在不断打开新的市场空间，产品销售呈现不断提高的趋势。同时，公司与晶圆厂保持良好的合作关系，未来晶圆厂将充分保持公司产能供给。随着公司打破海外厂对高端功率器件的垄断，未来下游客户对公司的认知将逐步提升，终端客户将逐步提升对国产功率器件的导入强度，行业发展红利将带动公司业绩成长。
（2）从下业需求来看，车规级功率器件、新能源充电桩、光伏逆变以及储能行业对功率器件的需求仍处于上升趋势，供需紧张导致器件价格持续保持高位。
（3）TGBT 产品的放量将为公司业绩增长提供保障。公司进一步开发出具有自主知识产权的新型 Tri-gate IGBT（TGBT）功率器件及其工艺技术，以及新型高压 Hybrid-FET 器件及其工艺技术，已批量进入车载 OBC、光伏逆变、储能、、电机驱动等应用领域的多个头部客户，新产品将为公司贡献第二增长曲线。
在估值分析时，我们选取 A 股市场功率半导体企业来进行对比，选择商业模式相微 Fabless 的功率半导体企业——斯达半导、新洁能和扬杰科技进行对比。通过对比发展，东微半导在可参考行业内预计未来三年 PE 水平高于行业平均水平，主要是因为高压 MOSFET 持续推进+IGBT 产品渗透将为公司的业绩确定性打下基础。
我们认为，公司短期受益于新能源车、新能源直流充电桩、光伏和其他工业领域的快速放 量，叠加功率器件紧缺带来的业绩增长，长期看好公司在在中高压 MOSFET 和 IGBT 产品领域底层器件结构创新能力以及细分领域的持续渗透，带动公司业绩高速成长。
在高性能工业及汽车相关应用的功率器件领域，公司目前在全球和国内市场占有率相对较低，市场主要份额仍然被国外大型厂商占据。公司在进入该等新的应用领域时可能会面临产品性能验证失败或者产品性能不及竞争对手而无法获得订单的风险。
公司向前五名供应商采购内容主要为晶圆及封装测试服务等，合计采购金额占当期采购总额的比例较高。若晶圆代工行业产能紧张的情况进一步加剧，则晶圆代工厂的产能与供货量可能无法满足公司的需求。
半导体行业的研发存在周期较长、工艺复杂等特点，产品技术更新迭代需要持续的资源投入，若研发项目启动后的进度及效果未达预期，或者研发的新技术或产品尚不具备商业价值，则大量的研发投入将影响公司的经营业绩。压电音叉填充因数激光器理论结电阻凯时官网平台
